Samsung telah mengumumkan dimulainya produksi massal chip memori NAND vertikal (V-NAND) generasi ke-9 terbaru. Chip ini memiliki kepadatan bit 50% lebih tinggi dibandingkan produk generasi ke-8. Artinya memungkinkan penyimpanan data yang lebih padat dalam ruang fisik yang sama. Ini memungkinkan perangkat untuk memiliki kapasitas penyimpanan yang lebih besar tanpa memperbesar ukuran fisiknya.
Selain itu, produk generasi ke-9 mendukung antarmuka NAND flash baru yang disebut “Toggle 5.1”, yang memungkinkan kecepatan transfer data hingga 3,2Gbps, meningkat 33% dibandingkan generasi sebelumnya.
Tentu saja, V-NAND yang cepat memungkinkan transfer data yang lebih cepat. Dalam hal ini sangat penting untuk perangkat seperti SSD (Solid State Drive), di mana kecepatan baca dan tulis memengaruhi kinerja keseluruhan. Dengan V-NAND yang cepat, Anda dapat mengakses file lebih cepat dan mengurangi waktu loading.
Untuk melengkapi semuanya, chip baru ini 10% lebih hemat energi. Teknologi V-NAND terbaru yang canggih memungkinkan konsumsi daya yang lebih rendah. Ini berarti perangkat dapat bertahan lebih lama dengan baterai yang sama.
Samsung telah melakukan banyak inovasi dalam pengembangan V-NAND generasi ke-9. Mereka menggunakan teknologi inovatif seperti penghindaran interferensi sel dan perpanjangan umur sel. Selain itu, perusahaan memanfaatkan teknologi etsa lubang saluran canggihnya, yang membantu memaksimalkan produktivitas di pabrik.
Chip V-NAND baru yang lebih cepat dan berkapasitas tinggi akan digunakan dalam produk seperti SSD berperforma tinggi. Samsung berencana untuk memperluas dukungan untuk PCIe 5.0 untuk memanfaatkan semua kecepatan ekstra yang ada.
Saat ini, perusahaan sedang memproduksi massal chip V-NAND generasi ke-9 berkapasitas 1TB dengan sel tiga level (TLC). Pada paruh kedua tahun ini, mereka juga akan memulai produksi varian chip dengan sel empat level (QLC).
Dengan demikian, Samsung terus berinovasi dan meningkatkan teknologi memori NAND-nya untuk memenuhi kebutuhan industri yang semakin meningkat dalam hal performa, kapasitas, dan efisiensi energi. Generasi ke-9 V-NAND ini diharapkan akan memberikan performa yang lebih baik dan solusi penyimpanan yang lebih efisien untuk perangkat konsumen dan industri di masa depan.
Sumber: GSMArena
