SK hynix mengumumkan spesifikasi standar pertama High Bandwidth Flash bersama Sandisk. Pengumuman itu disampaikan pada 4 Agustus 2026 di ajang FMS 2026. Acara berlangsung di Santa Clara Convention Center, California, dari 4 hingga 6 Agustus waktu setempat. Teknologi HBF hadir sebagai solusi baru untuk mengatasi hambatan memori di era kecerdasan buatan.
HBF menempati lapisan memori di antara HBM dan SSD. Teknologi ini menawarkan transfer data berkecepatan tinggi mirip HBM. Kapasitasnya jauh lebih besar berkat penggunaan teknologi NAND. Seiring meningkatnya volume data pada inferensi AI, HBF dinilai mampu menjawab tantangan bandwidth sekaligus skalabilitas kapasitas.
Spesifikasi standar ini muncul sekitar enam bulan setelah konsorsium diluncurkan. Kerja sama awal dengan Sandisk dimulai pada Agustus 2025. Kapasitas mencapai 512GB melalui konfigurasi tumpukan delapan atau enam belas die NAND. Bandwidth dibagi menjadi tiga grade yang memberikan performa dari sekitar 0,4TB/s hingga 3,0TB/s.
Antarmuka koneksi menjadi salah satu poin penting dalam standar ini. HBF mengadopsi UCIe sebagai antarmuka standar industri. Pendekatan itu memungkinkan integrasi fleksibel dengan berbagai prosesor seperti GPU dan CPU. Standar juga mencakup karakteristik listrik, pedoman keandalan, kemasan, serta panduan perangkat lunak input-output.
Spesifikasi dirilis melalui Open Compute Project. Langkah ini menjadikan HBF sebagai standar terbuka untuk seluruh industri. Google dan Tenstorrent telah bergabung dalam konsorsium HBF. SK hynix berharap kolaborasi terbuka ini memperluas ekosistem dan meningkatkan penerimaan pasar.
Pada hari pembukaan FMS 2026, dua eksekutif SK hynix menyampaikan keynote bersama. Kim Chun-sung dan Kang Uk-song membahas arsitektur Tiered Memory untuk era Agentic AI. Mereka menekankan bahwa satu jenis memori saja tidak cukup menghadapi lonjakan data dan kebutuhan efisiensi. Arsitektur berlapis dinilai mampu menghubungkan berbagai jenis memori dalam satu sistem yang optimal.
Diskusi panel juga digelar pada 6 Agustus. Lim Eui-cheol dari SK hynix bersama perwakilan Sandisk dan Google DeepMind membahas peran HBF. Sesi itu menyoroti perubahan mendasar dalam arsitektur memori infrastruktur AI. Mereka melihat HBF sebagai solusi potensial untuk menembus dinding memori.
SK hynix membuka booth pameran selama acara berlangsung. Di sana perusahaan memperkenalkan wafer dan produk 4D NAND generasi kesepuluh dengan 375 lapisan. Teknologi ini meningkatkan efisiensi daya hingga 2,5 kali lipat dibanding generasi sebelumnya. Produksi massal eSSD berkapasitas tinggi berbasis NAND tersebut dijadwalkan mulai awal tahun depan.
Booth juga menampilkan lini produk untuk mobile, PC, otomotif, dan robotika. SK hynix ingin menunjukkan keunggulan teknologi memorinya di berbagai sektor. Kim Chun-sung menyatakan bahwa penyebaran aplikasi AI menuntut redesign struktur pengolahan data secara keseluruhan. Melalui HBF, perusahaan berupaya memperluas batas antara memori dan storage serta mendukung arsitektur yang lebih efisien.
Sumber: SK Hynix
