Ad imageAd image

Micron dan SK Hynix Luncurkan LPDDR5-9600 untuk Smartphone

Dimas Galih Windudjati

Anda pikir memori LPDDR5 untuk smartphone saat ini sudah yang terkencang? Ternyata belum! Memori LPDDR5X dan LPDDR5T dengan kecepatan transfer data 9,6 GT/s saat ini telah diluncurkan oleh Micron dan SK Hynix. Memori jenis ini tentunya akan digunakan pada smartphone flagship yang memakai prosesor Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3.

Micron LPDDR5X-9600 dibuat dengan teknologi proses 1β terbaru dari perusahaan tersebut. Memori ini ditawarkan dalam paket 16 GB x64 (meskipun tidak jelas berapa banyak perangkat memori aktual yang diintegrasikan oleh paket-paket ini). Micron mengatakan bahwa LPDDR5X-nya yang dibuat pada node produksi terbarunya menawarkan konsumsi daya hingga 30% lebih rendah dibandingkan IC LPDDR5X pesaing yang dibuat pada teknologi 1α (1-alpha).

SK Hynix juga meluncurkan memori LPDDR5-9600 yang disebut LPDDR5T (T singkatan dari Turbo). Memori baru ini akan tersedia dalam paket 16 GB dengan rentang tegangan VDD 1,01V hingga 1,12V dan VDDQ 0,5v. Sebaliknya, LPDDR5X harus memiliki tegangan VDD maksimum 1,1V, sehingga LPDDR5T sedikit keluar dari spesifikasi LPDDR5X.

Baik Micron LPDDR5X-9600 maupun SK Hynix LPDDR5T-9600 kompatibel dengan system-on-chip Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 untuk smartphone. Micron sudah mengirimkan modul LPDDR 9.6 GT/s 16 GB-nya yang memiliki bandwidth maksimal 76,8 GB/s, jadi perkirakan beberapa mitra Qualcomm akan segera menggunakan memori untuk smartphone yang tercepat di dunia. Modul SK Hynix telah divalidasi oleh Qualcomm, sehingga perusahaan Korea Selatan tersebut kemungkinan akan segera memulai pengiriman komersial produk LPDDR5T-9600-nya.

Memori LPDDR5X dan LPDDR5T 9,6 GT/s menawarkan sejumlah manfaat bagi smartphone, termasuk:

  • Performa yang lebih baik: Kecepatan transfer data yang lebih tinggi berarti bahwa smartphone dapat memuat aplikasi dan game lebih cepat, serta melakukan tugas yang menuntut seperti streaming video dan augmented reality dengan lebih lancar.
  • Efisiensi daya yang lebih baik: Memori LPDDR5X dan LPDDR5T 9,6 GT/s dirancang untuk menggunakan daya lebih sedikit daripada memori LPDDR5X sebelumnya, yang berarti bahwa baterai smartphone dapat bertahan lebih lama dengan sekali pengisian daya.
  • Fitur yang lebih canggih: Memori LPDDR5X dan LPDDR5T 9,6 GT/s dapat mendukung fitur-fitur yang lebih canggih pada smartphone, seperti AI dan machine learning, serta tampilan dengan resolusi dan refresh rate yang lebih tinggi.

Sumber: Anandtech

Share This Article
Leave a comment

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *