Selama bertahun-tahun, para produsen memori kerap membicarakan DRAM dengan transistor 3D. Namun, baru pada konferensi Memcom minggu lalu, Samsung sebagai salah satu produsen memori akhirnya angkat bicara dan mengungkap rencana mereka. Samsung mengatakan bahwa DRAM 3D generasi pertama mereka tampaknya akan segera hadir dalam beberapa tahun mendatang.
Raksasa memori dunia ini berencana menggunakan Vertical Channel Transistor (VCT) mulai dari proses produksi sub-10nm generasi pertama mereka. Informasi ini didasarkan pada presentasi Samsung di Memcom, yang diasumsikan sebagai peta jalan perusahaan (mengingat rekam jejak Samsung pada teknologi 10nm).
VCT sendiri merupakan salah satu jenis FinFET, di mana saluran penghantar arus listrik dibungkus oleh silikon tipis yang membentuk badan perangkat. VCT juga bisa berupa transistor gate-all-around (GAA), di mana material gate (pengontrol) mengelilingi saluran penghantar dari semua sisi. Berdasarkan gambar presentasi, Samsung tampaknya akan menggunakan teknologi proses DRAM berbasis FinFET.
Samsung reveals 3D DRAM in roadmap for 2025 and beyond. https://t.co/Wt4xgVKLSm pic.twitter.com/WWLmTPyqbl
— Fred Chen (@DrFrederickChen) March 31, 2024
Proses fabrikasi DRAM sub-10nm generasi pertama ini masih terbilang jauh, mengingat teknologi produksi DRAM terbaru Samsung saat ini adalah teknologi 10nm generasi ke-5 (12nm) yang diperkenalkan pertengahan 2023. Berdasarkan presentasi, Samsung berencana merilis dua teknologi produksi 10nm lainnya sebelum akhirnya memasuki era sub-10nm pada paruh kedua dekade ini.
Umumnya, penggunaan transistor 3D pada DRAM dikaitkan dengan pencapaian desain sel memori 4F^2, yang dianggap sebagai salah satu tata letak sel memori paling efisien dari segi biaya produksi. Tokyo Electron, pembuat peralatan fabrikasi wafer terkemuka, memperkirakan DRAM dengan VCT dan desain sel 4F^2 akan mulai muncul pada 2027-2028. Mereka percaya bahwa untuk memproduksi DRAM berbasis VCT, diperlukan material baru untuk kapasitor dan bitline.
Menariknya, Samsung juga berencana mengadopsi teknologi proses DRAM bertumpuk (stacked DRAM) sekitar awal 2030-an. Ini akan memungkinkan peningkatan kepadatan memori secara nyata dalam waktu sekitar sepuluh tahun. Saat ini, kita hanya bisa bertanya-tanya mengenai kepadatan memori yang akan hadir pada dekade mendatang, mengingat teknologi DRAM generasi berikutnya seperti DDR6 kemungkinan akan hadir saat itu.
Sumber dan gambar: Tomshardware
